Utilize este identificador para referenciar este registo: http://hdl.handle.net/10451/4575
Título: Estudo do potencial de um novo processo para mapeamento da concentração de impurezas dopantes em folhas de silício
Autor: Vivaldo, Catarina Alexandra Simões
Orientador: Alves, Jorge Augusto Mendes da Maia, 1958 -
Brito, Miguel Centeno
Palavras-chave: Caracterização
Dopagem
Semicondutor
Silício
Teses de mestrado - 2009
Data de Defesa: 2009
Resumo: Este estudo tem por objectivo o desenvolvimento de um novo e inovador método de medição da concentração de impurezas dopantes em folhas de silício, através da medição directa da derivada do potencial químico em ordem à temperatura, dµTd. Para isso foram definidos três pontos-chave no desenvolvimento deste método. O primeiro ponto corresponde ao desenvolvimento de um novo dispositivo de medida e validação dos resultados obtidos utilizando amostras metálicas. O segundo ponto é a calibração do sistema utilizando amostras de silício com diferentes concentrações de impurezas e o terceiro ponto é o estudo da sensibilidade do sistema para a medição da concentração de impurezas.
Descrição: Tese de mestrado, Engenharia Física, Universidade de Lisboa, Faculdade de Ciências,2009
URI: http://hdl.handle.net/10451/4575
Aparece nas colecções:FC - Dissertações de Mestrado

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